Samsung, Dünyanın İlk 3 nm Yarı İletken Prototipini Üretti
2030 yılına kadar yarı iletken üretiminde TSMC ve Intel gibi firmaların üzerine geçerek liderlik koltuğuna oturmak isteyen Samsung, bu amaç doğrultusundaki çabalarını sürdürüyor. Raporlara göre şirket, ilk 3 nm GAAFET prototipini üretti.
Dünyanın en büyük akıllı telefon üreticilerinden biri olan ve bununla birlikte teknolojinin birçok alanında çalışmalarını sürdüren Güney Kore merkezli Samsung, yarı iletken üretiminde de dünya markası olmak için çabalarını sürdürüyor. Şirket, önümüzdeki 10 sene içerisinde dünyanın en bilindik yarı iletken üreticileri TSMC ve Intel gibi firmaları geçerek, dünyanın bir numaralı yarı iletken üreticisi haline gelmek istiyor.
Raporlara göre Samsung, yeni bir yarı iletken üretimini tamamladı. İlk 3 nm yarı iletken çip prototipini üreten şirket, bunu yapmak için yeni bir teknoloji kullandı. Gate All Around (GAAFET) ismi verilen bu teknoloji, şu anda sektördeki yarı iletkenlerin genelinde kullanılan FinFET teknolojisinden çok daha avantajlı. GAAFET, toplam silikon boyutunun yüzde 35 daha küçük olmasını sağlıyor ve güç kullanımını da yüzde 50 oranında artırıyor. Bunların yanı sıra yeni teknoloji, performans alanında da yüzde 33’lük bir artış sağlıyor.
Samsung, 3 nm GAAFET üretimini Beklenenden Daha Erken Yapabilir
Birçok endüstri gözetmeni, GAAFET çiplerinin 2022’den önce üretilemeyeceğini ve bu yıldan önce bu teknolojinin herhangi bir şekilde görülmeyeceğini belirtiyordu. Samsung ise tahminlerin aksine bir hamle yaparak beklenenden tamı tamına 2 sene önce 3 nm GAAFET çiplerinin prototiplerini üretti. Eğer Samsung, halihazırda çalışan bir 3 nm çip prototipine sahipse bu teknolojiyi beklenenden çok daha yakın bir zamanda görebileceğimiz anlamına geliyor.
Samsung’un 3 nm GAAFET prototiplerinin üretimine beklenenden birkaç yıl önce başlaması, seri üretimin de erken olacağı anlamına geliyor. Raporlara göre Samsung, 3 nm GAAFET çiplerinin seri üretimine 2021 yılının ilk yarısında başlayacak. Bu adım, şu anda piyasada bulunan 7 nm işlemcilerin rafa kaldırılmasına ve büyük oranda bir performans artışına sebep olacak. Samsung’un önümüzdeki yıllarda çıkacak akıllı telefonlarında da üzerinde çalıştığı 3 nm devreleri kullanması bekleniyor.
Kaynak : webtekno.com
